报告摘要:
随着暗物质和中微子探测等地下低本底实验的开展,包括高纯锗半导体探测器、惰性液体探测器和量热器等在内的低温粒子探测器备受关注。为了降低噪声,这些探测器的读出电路通常也工作在低温下。同时随着探测器规模的不断扩大,读出电子学的通道数也在不断增加。基于CMOS集成电路工艺开展低温前端专用集成芯片的研制变得越来越有意义。本报告主要介绍近年来报告人课题组在低温CMOS粒子探测器读出专用集成芯片(ASIC)进展情况。
报告人简介:
邓智,清华大学工程物理系,长聘副教授,IEEE高级会员,核电子学与核探测技术分会辐射探测微电子学专委会副主任委员,分别于1999年、2002年和2005年获得清华大学学士、日本东京大学硕士和清华大学博士学位。主要从事用于辐射探测器读出专用集成电路设计研究,先后承担“新型密集阵列探测器读出ASIC的研制”、 “高纯锗低温低本底低噪声前端电子学系统研制”、“大动态范围、高带宽低温高纯锗探测器CMOS前端ASIC关键技术研究”等多项国家自然科学基金项目和科技部重点研发计划项目。共发表国际和国内期刊和会议论文50余篇。
主持:邬维浩
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